PT5671 是为控制N沟道MOSFETs而设计的三相Gate

驱动IC。芯片内部有3个半桥，共驱动6个N沟道功率

MOSFETs，每一路输出均由单一逻辑输入信号控制， 由MCU或控制器来控制马达工作于任意模式。芯片内部采用交越控制方法来保护功率MOSFETs。

PT5671采用BCD工艺设计，应用线路较简单，只需要

提供一个VM=4.5~32V电源电压及几个的外部元件即可。

产品特征

1.采用 BCD 制程，低功耗

2.驱动 3 个半桥门电路

3.宽电源电压范围： 

- VM：4.5V~32V ? 

4.工作温度范围： -30°C 到+85°C

5.内置电荷泵

6.内置保护电路：

- 防止串通保护

- 欠压保护(UVLO)

- 超温保护 (TSD)