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图片 名称 型号 封装 电压 最大电流 工作温度 功能
NHE525SR NHE525SR NHE525SR 168- 370 mV 20mA -40-110 锑化铟霍尔素子 立即采购
NHE522TU NHE522TU NHE522TU 168 - 428 mV 20mA -40-110 锑化铟霍尔素子 立即采购
NHE520FSR. NHE520FS... NHE520FSR 168-428mV 20mA 40-110 InSB霍尔素子 立即采购
NHE520R NHE520R NHE520/NHE520R 168-428mV 20mA 40-110 InSB霍尔素子 立即采购
NHE313 NHE313 NHE313 196 -370 mV 20mA -40~110℃ 采用蒸发InSb薄膜制备高灵敏度的Nicera霍尔元件 立即采购
NHE312 NHE312 NHE312 196 -428 mV 20mA -40~110℃ InSb 蒸发薄膜的高感度型号霍尔素子 立即采购
NHE529 NHE529 NHE529 168- 370 mV 20mA -40~110℃ 用InSb蒸发薄膜的高灵敏度型霍尔元件 立即采购
NHE528/R(反装) NHE528/R... NHE528/R 168 -370 mV 20mA -40~110℃ 使用蒸发InSb薄膜的Niera霍尔元件的高灵敏度类型 立即采购
NHE524 NHE524 NHE524TU/TS(反装) 168 -370 mV 20mA -40~110℃ ?采用 InSb 蒸发薄膜的高感度型号霍尔素子 ?因为感度较高、可用于较低磁场场合 ?输入输出阻抗适合晶体管回路 立即采购
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