PT5607是一种高速高电压（600V）驱动器，用于控制半桥系统中的功率器件，如MOS晶体管或IGBT，该半桥系统具有相关的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTL输出兼容，低至3.3V逻辑。该器件包括具有滞后特性的欠压检测单元，当栅极的电压裕度不够高时，防止功率器件产生大量的导通损耗。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，设计用于最小驱动器交叉传导。浮动沟道可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT，高侧配置，工作电压高达600伏。它的引脚和输入极性与IR2101兼容。

产品特征

1.驱动两个IGBT/MOSFET功率器件

2.高压侧通道完全运行至+600V

3.每个通道的栅极驱动电源从10V到20V

4.欠压闭锁

5.高级输入滤波器

6.内置死区保护：0.5us

7.IO+/-：290/620mA，大源电流以绕过米勒效应

8.击穿（交叉传导）保护

9.3.3V/5V/15V输入逻辑兼容

10.所有信道的匹配传播延迟

11.匹配死区时间

12.与HIN输入同相的高压侧输出

13.低端输出与LIN输入同相

14.耐负瞬态电压，抗扰度达50V/ns

15.低di/dt门驱动，抗噪性更好

16.-40°C至125°C工作范围

17.提供SOP8L套装

18.无铅