PT 5606是一种高速高压(600 V)驱动器，用于控制半桥系统中的功率器件，如MOS-晶体管或IGBT。大 逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，降低到3.3V逻辑。该装置包括具有迟滞特性的欠电压检测单元，并防止功率器件再次出现。 当栅极电压裕度不够高时，存在大量的传导损耗。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲器级，用于最小驱动交叉导通。这个 浮动沟道可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT，在高侧结构下工作电压可达600伏特。 

驱动两个igbt/mofet功率器件

高侧沟道完全运行600伏

栅驱动电源，从每通道10v到20v每通道

欠压锁定

高级输入滤波器

内置死区-t。 IME保护：0.5us

IO/-：290/620 mA，大源电流绕过米勒效应?穿通(交叉传导)保护3.3V/5V/15v输入逻辑兼容的

匹配传播DELA。 所有通道

的Ys匹配死区

高压输出与HIN输入

低相位输出，LIN输入

能承受负暂态电压，dV/dt的抗扰度高达50V//。 NS

低di/dt栅极驱动器，以获得更好的抗噪性，

-40°C至125°C操作范围

SOP8L封装，可提供无铅