Location: Home Products Center Memory Chip FLASH
PY25Q80HB
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FLASH
品牌：普冉
• 典型超低功耗特性 
  - 1微安深度掉电电流 
  - 15微安待机电流 
  - 85MHz下7.5毫安读取工作电流 
  - 6毫安编程/擦除工作电流 
• 高可靠性 
  - 100,000次编程/擦除周期 
  - 20年数据保存期限 
封装：SOP/USON/TSSOP
应用：三相电表、单相电表、通讯模块、水表、仪器仪表
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通讯模块
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电表 电表
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FLASH 品牌：普冉 • 超低功耗特性（典型值） - 深度休眠电流1μA - 待机电流18μA - 85MHz工作频率下读取电流8mA - 编程/擦除工作电流10mA 封装：SOP/USON/WSON/TSSOP 应用：水表、三相电表、单相电表、通讯模块、仪器仪表
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FLASH 品牌：普冉 电压：2.7至3.6V 串行外设接口（SPI） 兼容：模式0和模式3 工作温度：-40℃~85℃ 封装：SOP/WSON 应用：水表、三相电表、单相电表、仪器仪表、通讯模块
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EEPROM 品牌：普冉 低功耗CMOS技术 读取电流0.2mA（400kHz，典型值） 写入电流0.8mA（400kHz，典型值） 最低工作电压低至1.7V 封装：PDIP, SOP, TSSOP, DFN/UDFN 应用：三相电表、单相电表、通讯模块、水表、仪器仪表
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Product Description

 芯片说明：

PY25Q80HB是一款串行接口闪存器件，专为需要将程序代码从闪存镜像至嵌入式或外部RAM执行的大批量消费类应用而设计。该器件采用灵活的擦除架构，具有扇区级擦除粒度，同样非常适合数据存储场景，可省去额外数据存储设备的需求。其擦除块大小经过优化设计，完美契合当代代码与数据存储应用需求——通过优化擦除块尺寸，能显著提升存储空间利用率。由于某些代码模块和数据存储段必须独占独立擦除区域，该设计可大幅减少传统大扇区/大区块闪存器件常见的存储空间浪费现象。这种提升的存储效率使得在保持相同总存储密度的同时，还能增加额外代码例程和数据存储段。

该器件还包含3个额外的512字节安全寄存器（具有OTP一次性可编程锁定功能），可用于设备唯一序列号、系统级电子序列号(ESN)存储、加密密钥存储等用途。其工作电压范围宽达2.3V至3.6V，支持读取、编程和擦除操作，无需为编程和擦除提供额外电压，特别适合多种不同系统应用场景。


应用：

三相电表

单相电表

通讯模块

水表

仪器仪表



引脚配置：

引脚说明：

框图：


Product Features

• 单电源2.3至3.6V供电  

• 工业级温度范围-40°C至85°C  

• 兼容串行外设接口(SPI)：模式0和模式3  

• 支持单线/双线/四线SPI及QPI模式  

  - 标准SPI：SCLK、CS#、SI、SO、WP#、HOLD#  

  - 双线SPI：SCLK、CS#、IO0、IO1、WP#、HOLD#  

  - 四线SPI：SCLK、CS#、IO0、IO1、IO2、IO3  

  - QPI模式：SCLK、CS#、IO0、IO1、IO2、IO3  

• 灵活的代码与数据存储架构  

  - 统一256字节页编程  

  - 统一4K字节扇区擦除  

  - 统一32K/64K字节块擦除  

  - 全芯片擦除功能  

• 通过WP#引脚硬件锁定保护扇区  

• 一次性可编程(OTP)安全寄存器  

  - 3组512字节OTP锁定安全寄存器  

• 每颗器件具有128位唯一ID  

• 典型快速编程与擦除速度  

  - 30微秒单字节编程时间  

  - 0.5毫秒页编程时间  

  - 50毫秒4K字节扇区擦除时间  

  - 0.16秒32K字节块擦除时间  

  - 0.3秒64K字节块擦除时间  

• JEDEC标准制造商与器件ID读取方案  

• 典型超低功耗特性  

  - 1微安深度掉电电流  

  - 15微安待机电流  

  - 85MHz下7.5毫安读取工作电流  

  - 6毫安编程/擦除工作电流  

• 高可靠性  

  - 100,000次编程/擦除周期  

  - 20年数据保存期限  

• 工业标准环保封装选项  

  - 8引脚SOP封装（150mil/208mil）  

  - 8焊盘USON封装（3x2x0.55mm，1.5x1.5x0.55mm）  

  - 8引脚TSSOP封装  

  - KGD用于SiP


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